عَرْض تقنية ترانزستور جديدة

تقترب تكنولوجيا الترانزستور التقليدية من حدودها الأساسية، ويُنظر إلى المواد شبه الموصلة ثنائية الأبعاد ـ كثاني كبريتيد الموليبدينوم (MoS2) ـ كبدائل ممكنة للسيليكون بالجيل التالي للإلكترونيات مرتفعة الكثافة ذات الرقائق منخفضة الطاقة. ومن احتمالاتها الواعدة.. إمكاناتها الموجودة في ترانزستور نفق الحزمة-الحزمة، الذي يعمل بطريقة مختلفة بشكل أساسي عن ترانزستور السيليكون التقليدي (MOSFET). وحتى الآن، هناك قِلّة من تلك الأجهزة ذات الخواص الإجمالية الأفضل من ترانزستور السيليكون هي التي تمت البرهنة عليها. وقد قام كوستاف بانيرجي وزملاؤه ببناء ترانزستور نَفَقِي بعمل هيكل عمودي مع ثاني كبريتيد الموليبدينوم بسُمْك الذَّرَّة كقناة فعالة، والجيرمانيوم كقطب رئيس، حيث إن لها خصائص مميزة، وتشغيلًا منخفض الطاقة، وهو ما يُعَدّ أفضل من تلك الخاصة بترانزيستور السيليكون المستثار، ومثيرًا للاهتمام بنطاق من تطبيقات الإلكترونيات، تشمل الدوائر المتكاملة منخفضة الطاقة، بالإضافة إلى المستشعرات الحيوية/الغازية فائقة الحساسية.